<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><metadata>
     <oai_dc:dc xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" xmlns:oai_dc="http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xsi:schemaLocation="http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/        http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc.xsd">
      <dc:title>Etude, fabrication et propriétés de transport de transistors CMOS associant un diélectrique de grille haute permittivité et un canal de conduction haute mobilité</dc:title>
      <dc:creator>WEBER, Olivier</dc:creator>
      <dc:description>La miniaturisation des transistors CMOS permet d&#146;améliorer les performances, la densité d&#146;intégration et le coût des circuits électroniques. Plusieurs ruptures technologiques concernant l&#146;architecture et les matériaux des transistors doivent s&#146;additionner pour atteindre les dimensions ultimes, à l&#146;échelle de l&#146;atome. L&#146;introduction d&#146;un diélectrique haute permittivité comme isolant de grille à la place du SiO2 vise à améliorer le compromis épaisseur d&#146;oxyde/courant de fuite de grille. Un canal haute mobilité doit permettre d&#146;améliorer la vitesse des porteurs et donc le compromis vitesse (fréquence d&#146;horloge)/puissance active des circuits. Cette thèse porte sur l&#146;étude, la fabrication et les propriétés de transport de transistors CMOS cumulant ces deux nouvelles options technologiques. Ceci concerne en particulier des transistors avec un empilement de grille TiN/HfO2 : nMOS à canaux Si contraints, pMOS à canaux SiGe(:C) ou Ge contraints et une nouvelle architecture pMOS selon l&#146;orientation cristallinne (111). Des gains en mobilité élevés par rapport aux transistors de référence HfO2/Si, pouvant atteindre +800% pour la mobilité des trous sur les transistors Ge contraints, sont obtenus conjointement avec l&#146;effet du diélectrique HfO2 : une réduction de 4 décades du courant de fuite de grille par rapport à un oxyde SiO2. Une caractérisation électrique approfondie permet de montrer l&#146;importance de l&#146;optimisation de l&#146;interface diélectrique/canal sur les gains en mobilité. Les caractéristiques des transistors sont analysées et discutées jusqu&#146;à des longueurs de grille inférieures à 50nm. Finalement, la dégradation de la mobilité avec un empilement de grille TiN/HfO2, point critique limitant l&#146;émergence de tels empilements, est analysée en détail et les mécanismes de collisions des porteurs sont déterminés expérimentalement. </dc:description>
      <dc:publisher>INSA de Lyon</dc:publisher>
      <dc:contributor>DUCROQUET, Frédérique</dc:contributor>
      <dc:date>2006-05-10</dc:date>
      <dc:identifier>http://docinsa.insa-lyon.fr/these/pont.php?id=weber_o</dc:identifier>
      <dc:language>fre</dc:language>
     </oai_dc:dc>
   </metadata>