Intégration monolithique d'amplificateurs de puissance multi-bandes à fort rendement pour applications cellulaire

Auteur(s) : REYNIER, Pascal Contributeurs : GONTRAND, Christian Éditeur(s) : INSA de Lyon Date de publication : 07-01-2010

Accès à la ressource :  http://docinsa.insa-lyon.fr/these/pont.php?id=reyn... Description : Cette thèse s'inscrit dans le cadre d'une réflexion sur l'intégration complète sur silicium d'amplificateurs de puissance, sur leur optimisation en rendement ainsi que sur les possibilités de fonctionnement multi-bandes. Elle porte sur l'étude de PA monolithiques multi-bandes à fort rendement pour les standards E-GSM et DCS sur une technologie BiCMOS 0.25 micromètre. Pour une optimisation du rendement à faible puissance et un fonctionnement multi-bandes, nous présentons tout d'abord l'étude de dispositifs de puissance LDMOS à largeur de grille variable. Cette étude s'articule autour de deux réalisations : une structure de puissance accordable pour des puissances de 24dBm et 27dBm ainsi que d'un étage de puissance accordable pour les bandes basses et hautes du standard GSM. Dans le cadre d'une intégration totale des PA, sans dégradation du rendement, les performances du réseau de sortie, en termes d'encombrement et de pertes, sont critiques. Ainsi, nous nous sommes penchés sur l'étude de transformateurs de puissance intégrés faibles pertes. Nous exposons notamment une méthode de pré-dimensionnement simple et précise tenant compte de la technologie et de la structure du transformateur. En suivant celle-ci deux transformateurs de puissance faibles pertes pour les bandes basses et hautes du standard GSM sont présentés et une étude à été engagée sur l'intégration de transformateurs de puissance multi-bandes. Enfin nous présentons une solution innovante de " PA dual band " pour les standards E-GSM et DCS à base de transistors de puissance HBT et LDMOS. Conçue et implémentée sur silicium, elle apparaît intéressante en termes de performances et réellement compétitive en termes de surface. Mots-clés : Electronique Langue : Français

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