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Caractérisation et modélisation de microtransducteurs de pression à hautes performances intégrés sur silicium.. | ||
Auteur(s) : MALHAIRE, Christophe Contributeurs : BARBIER, Danièl Éditeur(s) : INSA de Lyon Date de publication : 10-07-1998 | ||
Description : L'objectif de ce travail etait de modeliser le comportement thermomecanique de membranes composites SiO2/Si et de developper des outils de caracterisation adaptes aux microstructures en silicium pour permettre la conception de microcapteurs de pression piezoresistifs a membrane de type Polysilicium Sur Isolant a hautes performances. Des membranes SiO2/Si de 3 mm de cote et d'epaisseur inferieure a 40 microns, recouvertes par des couches d'oxyde thermique de 0.5 a 2 microns, ont ete realisees par gravure chimique anisotrope du silicium sans couche d'arret dans des solutions KOH+H20. Nous avons etudie le profil des membranes, la rugosite et l'uniformite de la gravure par profilometrie optique. Les epaisseurs moyennes des membranes ont ete determinees avec une incertitude de 0.1 micron par spectrometrie infrarouge a transformee de Fourier. L'origine de la contrainte dans les films d'oxyde sur substrats epais a ete etablie et sa valeur determinee avec une incertitude de 4% par des mesures de courbures moyennes. Langue : Français |
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