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Etude et caractérisation d'un capteur en silicium amorphe hydrogéné déposé directement sur circuit intégré pour la détection de particules et de rayonnements | ||
Auteur(s) : DESPEISSE, Matthieu Contributeurs : GONTRAND, Christian Éditeur(s) : INSA de Lyon Date de publication : 09-05-2006 | ||
Description : Pour les futures expériences de physique des hautes énergies au laboratoire européen de physique des particules (CERN), des technologies de détection alternatives aux détecteurs silicium actuels seront nécessaires. Le travail effectué dans cette thèse présente les performances et les limitations d'une nouvelle technologie de détection. Celle-ci est basée sur la déposition d'un capteur en silicium amorphe hydrogéné directement sur circuit intégré, présentant ainsi un haut degré d'intégration. Le travail présenté comprend l'optimisation et le développement de circuits intégrés pour la caractérisation de cette technologie dite " Thin-Film on ASIC ". L'interface entre le capteur déposé et le circuit intégré a été caractérisée pour comprendre en détail la méthode de segmentation du détecteur. L'induction d'un signal par le passage d'une particule chargée ou d'un rayonnement au travers du capteur a été démontrée et étudiée. La vitesse et l'amplitude du signal induit, ainsi que la résistance à de hauts niveaux de radiations ont été particulièrement appréciées. Le travail présenté démontre la faisabilité du concept de détection proposé et d'intéressantes propriétés de cette technologie pour diverses applications de détection, mais révèlent cependant différentes limitations pour d'éventuelles applications pour la physique des particules. Langue : Anglais |
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