Ressource documentaire
 |
| Fatigue multiaxiale des structures industrielles sous chargement quelconque | ||
| Auteur(s) : WEBER, Bastien Contributeurs : BOIVIN, Maurice Éditeur(s) : Institut National des Sciences Appliquées de Lyon Date de publication : 09-05-2006 | ||
Description : Le travail présenté traite de la fatigue multiaxiale. Il a pour but l'estimation de la durée de vie de structures industrielles soumises à tout type de chargement, du cas le plus simple, uniaxial et périodique, au cas le plus général et le plus complexe, multiaxial et à amplitude variable. La première partie présente une analyse, à partir d'une recherche bibliographique, des critères de fatigue multiaxiaux en contraintes. Elle regroupe 37 critères classés en trois familles : les critères empiriques, ceux de type plan critique et ceux d'approche globale. 24 critères ont été validés à l'aide d'une banque de données constituée de 233 essais de fatigue multiaxiaux tirés eux aussi de la littérature. La deuxième partie traite de la prise en compte de l'effet du gradient de contrainte dans les critères de fatigue multiaxiaux. Basée sur une proposition existante, l'introduction de l'effet du gradient dans les deux critères du LMSo est réalisée. Ces critères sont validés sur des essais multiaxiaux de flexion-torsion. Une méthode est proposée pour estimer le gradient de contrainte en tout point d'une structure complexe calculée par éléments finis dans le but de pouvoir appliquer ces critères avec gradient au cas des structures industrielles. La dernière partie concerne les évolutions et la validation de la méthode en contraintes d'estimation de durée de vie en fatigue multiaxiale d'amplitude variable proposée par le LMSo. Une première évolution de la méthode est établie. Elle est basée sur le principe du calcul et du cumul de dommage par plan physique. L'étude de l'influence de la variable de comptage, qui permet l'identification et l'extraction des cycles de contraintes de la séquence multiaxiale, aboutit à une seconde évolution, qui permet de s'affranchir du problème du choix de la variable de comptage. Elle réalise, plan par plan, le comptage des cycles, le calcul puis le cumul du dommage. Ces évolutions nécessitent d'utiliser un critère de type plan critique. L'ensemble d Mots-clés : Mécanique Langue : Français |
| Exporter au format XML |
Ressource documentaire
 |
| Etude, fabrication et propriétés de transport de transistors CMOS associant un diélectrique de grille haute permittivité et un canal de conduction haute mobilité | ||
| Auteur(s) : WEBER, Olivier Contributeurs : DUCROQUET, Frédérique Éditeur(s) : INSA de Lyon Date de publication : 10-05-2006 | ||
Description : La miniaturisation des transistors CMOS permet daméliorer les performances, la densité dintégration et le coût des circuits électroniques. Plusieurs ruptures technologiques concernant larchitecture et les matériaux des transistors doivent sadditionner pour atteindre les dimensions ultimes, à léchelle de latome. Lintroduction dun diélectrique haute permittivité comme isolant de grille à la place du SiO2 vise à améliorer le compromis épaisseur doxyde/courant de fuite de grille. Un canal haute mobilité doit permettre daméliorer la vitesse des porteurs et donc le compromis vitesse (fréquence dhorloge)/puissance active des circuits. Cette thèse porte sur létude, la fabrication et les propriétés de transport de transistors CMOS cumulant ces deux nouvelles options technologiques. Ceci concerne en particulier des transistors avec un empilement de grille TiN/HfO2 : nMOS à canaux Si contraints, pMOS à canaux SiGe(:C) ou Ge contraints et une nouvelle architecture pMOS selon lorientation cristallinne (111). Des gains en mobilité élevés par rapport aux transistors de référence HfO2/Si, pouvant atteindre +800% pour la mobilité des trous sur les transistors Ge contraints, sont obtenus conjointement avec leffet du diélectrique HfO2 : une réduction de 4 décades du courant de fuite de grille par rapport à un oxyde SiO2. Une caractérisation électrique approfondie permet de montrer limportance de loptimisation de linterface diélectrique/canal sur les gains en mobilité. Les caractéristiques des transistors sont analysées et discutées jusquà des longueurs de grille inférieures à 50nm. Finalement, la dégradation de la mobilité avec un empilement de grille TiN/HfO2, point critique limitant lémergence de tels empilements, est analysée en détail et les mécanismes de collisions des porteurs sont déterminés expérimentalement. Langue : Français |
| Exporter au format XML |