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| Réalisation de jonctions pn dans le SiC-6H par implantation ionique d'aluminium. | ||
| Auteur(s) : OTTAVIANI, Laurent Contributeurs : LOCATELLI, Marie-Laure Éditeur(s) : INSA de Lyon Date de publication : 05-11-1999 | ||
Description : L'implantation ionique est la seule technique de dopage local maîtrisable avec le carbure de silisium, la diffusion thermique nécessitant des températures trop élevées pour une industrialisation du procédé. Les principaux atomes dopant utilisés sont l'aluminium et le bore pour le type p, et l'azote pour le type n. Un problème important lié à cette technique réside dans l'activation électrique de l'espèce implantée. La création de l'émetteur de la diode bipolaire p+nn+ étudiée exige cinq implantations successives d'aluminium, dont les énergies sont échelonnées entre 25 et 300 keV, afin d'obtenir un profil rectangulaire à concentration constante sur une distance précise. Ce dopage volumique est un dopage visé, c'est-à-dire qu'il est donnée dans le cas où l'ionisation est complète. Or, les doses et énergies d'implantation utilisées conduisent à l'endommagement du cristal, et même à son amorphisation sur une certaine profondeur. Il est donc nécessaire de pratiquer un recuit du matériau après l'implantation, d'un Langue : Français |
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